記憶體測試演算法、MBIST與HBM/3D封裝測試實務
▌課程資訊
日期：115/12/19 (週六)
時間：09：00-12:00、13:00-16：00
時數：6小時
堂數：1堂
名額：15-20人
報名截止：115/12/12(週六)
▌課程售價
原價：NT$2,000元
■優惠價格(95折)：NT$1,900元
1.早鳥優惠：115/11/18(週三)以前完成報名及繳費者
2.兩人同行
3.報名兩門課程
■優惠價格(9折)：NT$1,800元
1.本校畢業校友優惠(需憑校友證)
2.四人同行
■校內優惠(8折)：NT$1,600元
1.本校在職教職員、本校在學學生
2.本校在職教職員眷屬
▌課程特色
本課程以「理論結合實務」為核心，從 SRAM/DRAM 故障模型與 March 測試演算法出發，透過手算演練與案例分析，深入理解 MBIST、Fail Map、BISR 與冗餘修補機制；進一步延伸至先進製程動態故障、HBM3e/HBM4、TSV、KGD 與 3D IC 測試。課程兼顧故障覆蓋率(Fault Coverage)、測試時間（Test Time）與測試成本（Test Cost），串聯「故障分析→測試→診斷→修補→先進封裝測試」完整流程，強化學員的半導體測試工程實務能力。
▌預期學習成效
學員能理解 SRAM/DRAM 常見故障模型及其測試方法，具備 March 測試演算法與 March C- 基本推導及分析能力；了解 MBIST、Fail Map、BISR、冗餘修補與 eFuse 等測試及修補機制；認識先進製程動態故障，以及 HBM3e/HBM4、TSV、KGD 與 3D IC 測試技術。並能從故障覆蓋率、測試時間及測試成本等面向理解測試策略，建立由 Memory Test 延伸至 HBM/3D 封裝測試的工程思維。
▌招生對象
不限，對記憶體測試、MBIST、半導體測試及 HBM/3D 封裝測試等相關技術有興趣者皆可參加，無須具備相關工作經驗或專業背景。課程將由基礎概念逐步介紹，並透過案例與實務應用協助學員建立完整的技術認識。
▌上課地點
國立清華大學南大校區(確定成班後，開課前將寄送開課通知給學員，內含教室位置、其他注意事項)
▌學員自備
請自備筆電，以利 March 演算法及案例演練。
▌講師介紹
本校推廣教育中心 賴瓊惠約聘副教授
▪國立交通大學電子工程研究所博士
▪力晶半導體資深工程師
▪中州技術學院電機系助理教授
▪中華大學電子系副教授
▌課程大綱
- 記憶體結構與故障模型
- March 測試演算法與實作
- MBIST 與 BISR 修補機制
- 先進製程與動態故障模型
- 高階 March 演算法與測試成本
- HBM/3D 封裝與 KGD 測試策略分析
▌聯絡方式
如有疑問，請洽：
課程如有疑問，請洽：賴瓊惠老師 EMAI：chlai@g.chu.edu.tw
報名系統相關問題，請洽：(03)571-5131 #78215 陳小姐
【本課程與活動等相關內容，若有異動，請以實際開課為主，並且本單位保有講師及課程異動之權利。】
